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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.6
- 수록면
- 1,019 - 1,022 (4page)
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In this study, we designed 6T and 8T SRAM cells using ETRI"s 0.5μm technology, which are fundamentally utilized in the advancement of in-memory computing. We conduct analysis of the electrical characteristics and overall performance of these SRAM cells. Specifically, we experimentally evaluate various performance metrics such as Static Voltage Noise Margin (SVNM), Word line Write Trip Voltage (WWTV), and read/write delay as well as power consumption.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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