메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Jeongchan Lee (Chungnam National University) Meng Li (Chungnam National University) Jeyoung Kim (Chungnam National University) Geonho Shin (Chungnam National University) Ga-won Lee (Chungnam National University) Jungwoo Oh (Yonsei University) Hi-Deok Lee (Chungnam National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.2
발행연도
2017.4
수록면
283 - 287 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Recently, Ni-InGaAs has been required for high-performance III-V MOSFETs as a promising self-aligned material for doped source/drain region. As downscaling of device proceeds, reduction of contact resistance (R<SUB>c</SUB>) between Ni-InGaAs and n-InGaAs has become a challenge for higher performance of MOSFETs. In this paper, we compared three types of sample, vacuum, 2% H<SUB>2</SUB> and 4% H<SUB>2</SUB> annealing condition in rapid thermal annealing (RTA) step, to verify the reduction of R<SUB>c</SUB> at Ni-InGaAs/n-InGaAs interface. Current-voltage (I-V) characteristic of metal-semiconductor contact indicated the lowest Rc in 4% H<SUB>2</SUB> sample, that is, higher current for 4% H<SUB>2</SUB> sample than other samples. The result of this work could be useful for performance improvement of InGaAs n-MOSFETs.
#InGaAs #Ni–InGaAs #hydrogen #contact resistance reduction #specific contact resistivity

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
S. Subramanian et al.: Selective Wet Etching Process for Ni-InGaAs Contact Formation in InGaAs N-MOSFETs with Self-Aligned Source and Drain, J. Electrochem. Soc., Vol. 159, pp. H16- H21, 2011 S. Takagi et al.: Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels, Solid-State Electronics, Vol. 51, pp. 526-536, 2007 X. Zhang et al.: Multiple-Gate In0.53Ga0.47As Channel n-MOSFETs with Self-Aligned Ni- InGaAs Contacts, J. Solid State Sci. Technol., Vol. 1, pp. P82-P85, 2012 S. H. Kim et al.: High-Performance InAs-On- Insulator n-MOSFETs With Ni-InGaAs S/D Realized by Contact Resistance Reduction Technology, IEEE Trans. Electron Dev., Vol 60, pp. 3342-3350, 2013 S. H. Kim et al.: Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-MOSFETs using Ni-InGaAs alloy, 2010 IEEE International Electron Devices Meeting, pp. 26.6.1-26.6.4

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

A Study of the Dependence of Effective Schottky Barrier Height in Ni Silicide/n-Si on the Thickness of the Antimony Interlayer for High Performance n-channel MOSFETs
Ho ,  yeong Lee ,  Meng Li 외 2명 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2015 .02
Enhanced Photo Current in n-ZnO/p-Si Diode Via Embedded Ag Nanoparticles for the Solar Cell Application
Young-Uk Ko ,  Ho-Jin Yun ,  Kwang-Seok Jeong 외 8명 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2015 .02

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-020-000839833