부트스트랩 회로와 차지 펌프 회로를 이용한 플로팅 스위치의 음 전원 공급 방법에 대한 연구

배정환; 이종무; 원충연

doi:10.5207/JIEIE.2017.31.7.077

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자료유형: 학술저널

저자정보: 배정환 (Sungkyunkwan University) 이종무 (Sungkyunkwan University) 원충연 (Sungkyunkwan University)

저널정보: 한국조명·전기설비학회 조명·전기설비학회논문지 조명·전기설비학회논문지 제31권 제7호

발행연도: 2017.7

수록면: 77 - 83 (7page)

DOI: 10.5207/JIEIE.2017.31.7.077

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The unipolar gate driving method provides a low cost and simple solution for inverter system design. However, the unipolar gate driving can cause issues like ‘parasitic oscillation’ during turn-on of power switches and ‘unintended parasitic turn-on’ caused by the Miller-effect of power semiconductors. Hence the maximum value of gate resistance has to be limited. The proposed bootstrap circuit can generate a negative gate voltage with minimal increase of components. For this purpose a charge-pump circuitry is merged with a standard bootstrap topology which can generate a negative as well as a positive gate voltage for floating switches without additional isolated power supply.

#Bootstrap circuit #Charge Pump #Bipolar Gate Drive #Negative Supplying Voltage

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[단행본] - A. Volke / 2010 / IGBT Modules / Infineon Technologies, Driver and Application : 291 ~ 295

[기타자료] - Infineon Technologies / 2005 / Driving IGBTs with unipolar gate voltage / Infineon Technologies Application Note

[단행본] - J.C.CREBIER / 2010 / Implementation and operational investigations of bipolar gate drivers / IEEE

[기타자료] - Rick West / / Bipolar Bootstrap top switch gate driver for half-bridge semiconductor power topologies / U.S. patent US20060034107

[기타자료] - Fairchild Semiconductor / 2008 / Design and Application Guide of Bootstrap Circuit for High-Voltage Gate-Drive IC / Fairchild Semiconductor Application Note AN-6076

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