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자료유형
학술저널
저자정보
Kihun Choe (University of Seoul) Changhwan Shin (SK hynix)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.3
발행연도
2018.6
수록면
367 - 372 (6page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.3.367

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The impact of beam coating on the energy–delay characteristic is investigated and quantitatively evaluated. In order to improve the energy–delay product, a vertically oriented nanoelectromechanical (NEM) relay with tapered coating is proposed, including its brief fabrication processes. The tapered coated beam, which has an effective spring constant identical to that an evenly coated beam but with lower effective mass, shows less energy dissipation for a given delay time. Furthermore, using the tapered coated beam structure can alleviate the stability problem because the von Mises stress is lower in the tapered coated beam than in the evenly coated beam in the pull-in state.
#Nanoelectromechanical (NEM) #electrostatic device #relay #energy-delay product

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. SIMULATION
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
A. Steegen, et al 65nm CMOS techonology for low power applications, International Electron Devices Meeting (IEDM), 2005. DOI: 10.1109/ IEDM.2005.1609267 D. Hisamoto, T. Kaga, Y. Kawamoto, and E. Takeda, A fully depleted lean-channel transistor (DELTA)-a novel vertical ultra thin SOI MOSFET, International Electron Devices Meeting (IEDM), 1989. DOI: 10.1109/IEDM.1989.74182 C. Auth, et al. 45nm High-k+ metal gate strainenhanced transistors, 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008. DOI: 10.1109/VLSIT.2008. 4588589 J. Jo, W. Y. Choi, J. D. Park, J. Shim, H. Yu, C. Shin, Negative capacitance in organic/ferroelectric capacitor to implement steep switching MOS devices, Nano letters Vol.15, No.7, pp. 4553-4556, 2015. DOI: 10.1021/acs.nanolett. 5b01130 J. Jo, and C. Shin, Negative Capacitance Field Effect Transistor with Hysteresis-Free Sub-60- mV/decade Switching, IEEE Electron Device Letters Vol. 37, No. 3, pp. 245-248, 2016. DOI: 10.1109/LED.2016.2523681

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