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학술저널
저자정보
Naushath Mohamed Haleem (University of Manitoba) Athula D. Rajapakse (University of Manitoba) Aniruddha M. Gole (University of Manitoba)
저널정보
전력전자학회 JOURNAL OF POWER ELECTRONICS JOURNAL OF POWER ELECTRONICS Vol.18 No.6
발행연도
2018.11
수록면
1,901 - 1,911 (11page)

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This study presents a circuit model for simulating the switching transients of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with inductive load switching. The modeling approach used in this study considers the behavior of IGBTs and freewheeling diodes during the transient process and ignores the complex semiconductor physics-based relationships and parameters. The proposed circuit model can accurately simulate the switching behavior due to the detailed consideration of device–circuit interactions and the nonlinear nature of model parameters, such as internal capacitances. The developed model is incorporated in an IGBT loss calculation module of an electromagnetic transient simulation program to enable the estimation of switching losses in voltage source converters embedded in large power systems.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. OUTLINE OF THE MODELING APPROACH
III. MODELING OF THE TURN-ON SWITCHING TRANSIENT
IV. MODELING OF TURN-OFF SWITCHING TRANSIENT
V. MODEL PARAMETERS
VI. RESULTS AND DISCUSSION
VII. CONCLUSIONS
REFERENCES

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