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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 49 - 53 (5page)
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MEMS 패키징용 hollow Cu 비아의 형성거동을 분석하기 위해, 펄스-역펄스 전류밀도 및 도금시간에 따른
hollow Cu 비아의 미세구조를 관찰하고 평균 두께 및 두께 편차를 측정하였다. 펄스-역펄스 전류밀도를 -5 mA/㎠와
15 mA/㎠로 유지하며 3시간 도금시 hollow Cu 비아의 평균 도금두께는 5 μm이었으며 표준편차는 0.63 μm이었다. 도
금시간을 6시간으로 증가시 평균 도금두께는 10 μm, 표준편차는 1 μm로 균일한 두께의 hollow Cu 비아를 형성하는 것
이 가능하였다. 펄스-역펄스 전류밀도를 -10 mA/㎠와 30 mA/㎠ 이상으로 증가시킨 경우에는 도금시간 증가에 따라
도금두께보다 도금두께의 표준편차가 더 크게 증가하여 균일한 hollow Cu 비아의 형성이 어려웠다.
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참고문헌 (18)
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A. C. Imhoff / 1999 / Packaging technologies for RFICs : current status and future trends / 1999 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symp. : 7 ~
A. Margomenos / 2004 / Fabrication and accelerated hermeticity testing of and on-wafer package for RF MEMS / IEEE Trans. Micro. Theory Tech. 52 : 1626 ~ 1636
C. Ryu / 2007 / Suppression of power/ground inductive impedance and simultaneous switching noise using silicon through-via in a 3-D stacked chip package / IEEE Microwave Wir
C. Statter / 1996 / Design and fabrication of a miniature pressure sensor head using direct bonded ultrathin silicon wafers / J. Micromech. Microeng. 7 : 108 ~ 110
D. Varadarajan / 2000 / A tertiary current distribution model for the pulse plating of copper into high aspect ratio sub-0.25 μm trenches / J. Electrochem. Soc. 147 : 3382
A. Margomenos / 2004 / Fabrication and accelerated hermeticity testing of and on-wafer package for RF MEMS / IEEE Trans. Micro. Theory Tech. 52 : 1626 ~ 1636
C. Ryu / 2007 / Suppression of power/ground inductive impedance and simultaneous switching noise using silicon through-via in a 3-D stacked chip package / IEEE Microwave Wir
C. Statter / 1996 / Design and fabrication of a miniature pressure sensor head using direct bonded ultrathin silicon wafers / J. Micromech. Microeng. 7 : 108 ~ 110
D. Varadarajan / 2000 / A tertiary current distribution model for the pulse plating of copper into high aspect ratio sub-0.25 μm trenches / J. Electrochem. Soc. 147 : 3382
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