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Single-wall carbon nanotube field-effect transistors (SWCNT FETs) of top gate structure were fabricated in aconventional metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with gate electrodes above the conductionchannel separated from the channel by a thin SiO2as catalyst by thermal chemical vapor deposition (CVD). These top gate devices exhibit good electrical characteristics,including steep subthreshold slope and high conductance at low gate voltages. Our experiments show that CNTFETs maybe competitive with Si MOSFET for future nanoelectronic applications.Key Woods :CNTFETs, MOSFET, CVD, conductance, nanoelectronic1. . ....... (carbon nanotubes, CNTs). ... .... ..... ... 1991. ... ... (S.Iijima)... ...[1-2] .. ... ...... .
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/ 1991 / ？Helical microtubules of graphitc carbon？
/ 1993 / ？Single shell carbon nanotubes of 1 nm diameter？
/ 1998 / Room-temperature transistor based on a single carbon nanotubr？ 393 : 49 ~
/ 1998 / Single-and multi-wall carbon nanotube field-effect transistors 73 : 2447 ~
/ 1999 / Self-oriented regular arrays of carbon nanotubes and their field emission properties？ 238 : 512 ~
/ 1993 / ？Single shell carbon nanotubes of 1 nm diameter？
/ 1998 / Room-temperature transistor based on a single carbon nanotubr？ 393 : 49 ~
/ 1998 / Single-and multi-wall carbon nanotube field-effect transistors 73 : 2447 ~
/ 1999 / Self-oriented regular arrays of carbon nanotubes and their field emission properties？ 238 : 512 ~
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