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The magnetron reactive ion etching (RIE) characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC grown on SiO2/Si substrateby APCVD were investigated. Poly 3C-SiC was etched by CHF3wall protective layers, with additive O2 and Ar gases. Especially, it was performed in magnetron RIE, which can etchSiC at a lower ion energy than a comercial RIE system. Stable etching was achieved at 70 W and the poly 3C-SiCwas undamaged. The etch rate could be controled from 20 /min to 400 /min by the manipulation of gas flow rates,chamber pressure, RF power, and electrode gap. The best vertical structure was improved by the addition of 40 % O2and 16 % Ar with the CHF3 reactive gas. Therefore, poly 3C-SiC etched by magnetron RIE can expect to be applied toM/NEMS applications.
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/ 1995 / “Residue-free reactive ion etching of silicon carbide in fluorinated plasmas” 142 (8) : 312 ~ 319
/ 1999 / SiC MEMS: opportunities and challenges for applications in harsh environments 355-356 : 518 ~ 524
/ 2000 / “Silicon carbide as a new MEMS technology” 82 : 210 ~ 218
/ 2002 / “Silicon carbide for MEMS and NEMS - an overview” 2 : 1109 ~ 1114
/ 2004 / “Reactive ion etching characteristics of 3C-SiC grown on Si wafers” 17 (7) : 724 ~ 728
/ 1999 / SiC MEMS: opportunities and challenges for applications in harsh environments 355-356 : 518 ~ 524
/ 2000 / “Silicon carbide as a new MEMS technology” 82 : 210 ~ 218
/ 2002 / “Silicon carbide for MEMS and NEMS - an overview” 2 : 1109 ~ 1114
/ 2004 / “Reactive ion etching characteristics of 3C-SiC grown on Si wafers” 17 (7) : 724 ~ 728
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