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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제3호
발행연도
1993.9
수록면
368 - 373 (6page)

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LCVD법에 의한 박막성장장치를 제작하였다. 제작한 CO₂ 레이저는 CO₂ : N₂ : He이 1:1:8로 혼합된 가스를 사용하였으며 최대 출력은 60W 였고 혼합가스의 유량이 20l/min, 방전전류 40mA일 때 50W의 비교적 안정된 출력을 얻을 수 있었다. 반응실의 기초 진공은 1×10^(-6)torr였으며 레이저를 기판에 수직 혹은 수평으로 조사할 수 있도록 설계하였다. 제작된 장치로 SiH₄ 및 NH₃를 재료로 하여 실리콘 및 quartz 기판위에 silicon nitride 박막을 증착하였다. 박막 생장시 가스를 흘리는 방식보다 가스를 채워놓고 하는 방식이 낮은 레이저 출력하에서 균일한 박막을 얻는데 효율적이라는 것을 발견하였다. 출력 55W의 레이저를 실리콘 기판에 5분간 조사하였을 때 최대 두께 1.5㎛의 박막을 얻었으며 quartz 기판위에는 출력 4W, 조사시간 6분에서 두께가 약 1㎛인 비교적 균질의 박막을 얻을 수 있었다. FT-IR 및 XPS 분석 결과 SiH₄와 NH₃의 혼합비가 1 : 12일 때 비교적 nitride화가 잘 된 박막이 얻어졌음을 알았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험장치의 제작

3. 실험장치의 특성

4. Silicon Nitride 박막의 제작

5. 결론

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