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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제4호
발행연도
1996.12
수록면
371 - 376 (6page)

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유리기판 (BK7)에 5-㎝ cold-hollow cathode형 이온건 (ion gun)을 이용한 sputtering 방법으로 금 박막을 1600 Å 두께 (RBS확인한 두께 : 1590 Å)로 증착하였다. 증착후 15 ㎂/㎠의 이온전류밀도를 갖는 1 keV Ar^+ beam을 이용하여 1×10^(16) Ar^+㎝^(-2)에서 2×10^(l7) Ar^+㎝^(-2)의 이온선량으로 조사하였다. 박막제작시와 Ar^+ 이온조사시의 진공도는 1×10^(-6) -1×10^(-5) Torr 이었으며, 기판온도는 상온으로 하였다. 금 박막은 Ar^+ 이온의 조사에 관계없이 모두 (111)방향만 관찰되었으며, Ar^+ 이온이 조사된 시료의 x-ray peak의 세기는 이온선량이 증가함에 따라 감소하였다. Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) 측정결과 Ar^+ 이온선량이 증가함에 따라 sputtering yield는 감소하였다. 2×10^(17) Ar^+ ㎝^(-2)의 이온선량이 조사된 시료는 두께가 711 Å으로 이온의 조사에 의해 Au 박막이 879 Å sputter된 것을 확인하였으며, 이 때 sputtering yield는 2.57 이었다. Atomic Force Microscope (AFM) 측정 결과 이온선량이 증가함에 따라 Au 박막의 R_(ms) 표면 거칠기는 16 Å에서 118 Å으로 증가하였다. 또한 Scratch test를 이용한 박막의 접착력 측정결과 이온선량이 증가함에 따라 유리기판위에 Au박막의 접착력은 1.1 N에서 10 N으로 9배 이상 증가하였다. 이상의 결과로 부터 낮은 에너지의 이온선을 조사하여 유리기판과 금 박막사이에 좋은 접착력을 갖는 박막을 제작할 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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