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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제4호
발행연도
2003.12
수록면
263 - 268 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

Batch - Type 원자층 증착 방법으로 형성한 실리콘 질화막의 특성
김혁 ,  이주현 ,  한창희 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 2003.12 학술저널

2002

원자층 증착 방법으로 증착된 실리콘 질화막의 특성
김혁 ,  이주현 ,  이연승 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료

초록· 키워드

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차세대 반도체 및 디스플레이 소자에 적용되는 실리콘 질화막은 정확한 두께 제어와 우수한 물성을 필요로 한다. 본 연구에서는 우수한 특성의 실리콘 질화막을 형성하기 위해 Si 원료물질로 SiCl₄, N 원료물질로 NH₃을 사용하고 500oC에서 600oC 온도구간에서 batch-type 장비를 이용하여 원자층 증착 방법으로 박막을 형성하고 증착된 박막의 특성을 살펴보았다. Batch-type 장비를 사용한 박막의 증착은 표면반응에 의한 균일한 원자층 증착임을 확인하였으며, 증착 cycle의 횟수를 조절하여 원하는 두께의 박막을 형성할 수 있었다. 원자층 증착된 박막의 조성, 굴절률 및 습식각 속도를 기존의 저압화학증착 방법에 의해 증착된 박막과 비교한 결과, 원자층 증착 방법을 사용하여 기존의 방법보다 증착온도를 250oC 이상 낮추면서도 유사한 물성을 가진 박막을 형성할 수 있음을 확인하였다. Pyridine을 촉매로 첨가하여 원자층 증착한 박막의 경우에는 증착속도를 50% 가량 향상시킬 수 있었으나 박막의 구조가 불안정하여 쉽게 산화되므로 반도체나 디스플레이 소자 제조에 적용하기에는 부적절한 것으로 판단된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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