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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.11
- 수록면
- 1,591 - 1,600 (10page)
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In this paper, a practical SPICE model for an IGBT and a PiN diode is proposed based on the Finite Differential Method (FDM). Other than the conventional Fourier model and the Hefner model, the excess carrier distribution can be accurately solved by a fast FDM in the SPICE simulation tool. In order to improve the accuracy of the SPICE model, the Taguchi method is adopted to calibrate the extracted parameters. This paper presents a numerical modelling approach of an IGBT and a PIN diode, which are also verified by SPICE simulations and experiments.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. SIMULATION OF THE DRIFT REGION
III. DIODE MODEL IMPLEMENTATION
IV. IGBT MODEL IMPLEMENTATION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (20)
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K. Sheng, B. W. Williams, and S. J. Finney, “A review of IGBT models,” IEEE Trans. Power Electron., Vol. 15, No. 6, pp. 1250-1266, Nov. 2000.
S. Castagno, R. D. Curry, and E. Loree, “Analysis and comparison of a fast turn-on series IGBT stack and highvoltage- rated commercial IGBTS,” IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 34, No. 5, pp. 1692-1696, Oct. 2006.
Q. Al'Akayshee, A. Sartain, A. Golland, F. Wakeman, M. Talebinejad, and A. D .C. Chan, “Press pack IGBT: High current pulse switch transcranial magnetic simulation,” IET Int. Conference on Power Electronics, 2014.
H. Chang, J. Bu, G. Kong, and R. Bou, “High speed 650V IGBTs for DC-DC conversion up to 200 kHz,” IEEE Int. Symposium on Power Semiconductor Devices & Ics. IEEE., pp. 72-75, 2011.
B. J. Baliga, M. S. Adler, P. V. Gray, R. P. Love, and N. Zommer, “The insulated gate rectifier (IGR): A new power switching device,” International Electron Devices Meeting, 2005.
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