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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.1
- 발행연도
- 2020.2
- 수록면
- 19 - 28 (10page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.1.019
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In this study, we develop a time-dependent dielectric breakdown (TDDB) analysis framework. TDDB is an important failure mechanism in transistor devices, which are widely used in electrical equipment, including power applications. In the developed TDDB framework, the percolation path can be predicted according to the thickness of the gate insulator, temperature, and electric-field strength applied to the gate insulating layer by considering three major degradation mechanisms that generate TDDB: anode hole injection, anode hydrogen release, and the thermochemical mechanism. This technique can be used to predict the device lifetime for different stress temperatures, biases, and application times. Thus, the developed framework can be used in industries to derive accelerated-lifetime testing conditions and to analyze the warranty period.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL METHODS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (30)
참고문헌 신청
K. Ota, et al, Experimental study of timedependent dielectric breakdown in tri-gate nanowire transistor, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 55, no. 82, pp. 2016.
D. J. Dumin, “Oxide Reliability: a summary of silicon oxide wearout, breakdown, and reliability” (World Scientific, 2002) 23 p. 47.
J. McPherson, Time dependent dielectric breakdown physics ? Models revisited, Microelectronics Reliability, vol. 52, no. 9-10, pp. 1753-1760, 2012.
J. McPherson and H. Mogul, Underlying physics of the thermochemical E model in describing lowfield time-dependent dielectric breakdown in SiO2 thin films, Journal of Applied Physics, vol. 84, no. 3, pp. 1513-1523, 1998.
M. Kimura, International Reliability Physics Proceedings (IEEE, Piscataway, NJ, 1997), p. 190.
D. J. Dumin, “Oxide Reliability: a summary of silicon oxide wearout, breakdown, and reliability” (World Scientific, 2002) 23 p. 47.
J. McPherson, Time dependent dielectric breakdown physics ? Models revisited, Microelectronics Reliability, vol. 52, no. 9-10, pp. 1753-1760, 2012.
J. McPherson and H. Mogul, Underlying physics of the thermochemical E model in describing lowfield time-dependent dielectric breakdown in SiO2 thin films, Journal of Applied Physics, vol. 84, no. 3, pp. 1513-1523, 1998.
M. Kimura, International Reliability Physics Proceedings (IEEE, Piscataway, NJ, 1997), p. 190.
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