SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향

박재현 ,  이정중 ,  금동화

한국표면공학회지

1993 .02

SiH₄/H₂ 혼합기체를 Multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구

김태환 ,  김동현 ,  이호준

전기학회논문지

2014 .02

SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향

趙星昱 ,  李京雨 ,  曹映煥 외 1명

한국표면공학회지

1990 .09

$SiH_4$ 환원에 의한 Selective CVD-W막 특성에 대한 증착시간과 압력의 효과

이종무 ,  이강욱 ,  박선후

한국재료학회지

1991 .01

SiH4/H2 혼합기체를 multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구

김태환 ,  손의정 ,  위성석 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .07

ECR CVD를 이용한 비정질 실리콘 박막의 증착 조건과 광학적 특성

강문상 ,  김재영 ,  전법주 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

ECR CVD를 이용한 비정질 실리콘 박막의 증착 조건과 광학적 특성 ( The Deposition Condition and Optical Characteristics of A-Si : H Films Deposited By ECR CVD )

강문상 ,  김재영 ,  전법주 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

ECR 플라즈마 CVD 방법을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막의 증착과 광학적 특성

김용일 ,  이진엽 ,  강문상 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

수소 가스 분율(H₂/H₂+SiH₄)에 따른 비정질 실리콘 박막의 표면 및 구조 분석

권진업

한국표면공학회지

2011 .04

Contact Barrier metal용 LPCVD W막의 전기적 특성에 대한 $SiH_4/WF_6$비의 효과

이종무 ,  박원구 ,  임영진 외 2명

한국재료학회지

1993 .01

ECRPCVD 방법을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막의 증착과 광학적 특성에 관한 연구 ( Deposition and Optical Characteristics of the Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using ECR Plasma CVD )

김용일 ,  이진엽 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .07

SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

Electrical Properties of Boron and Phosphorus Doped μc-Si:H Films using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition Method for Solar Cell Applications

Chaehwan Jeong ,  Minsung Jeon ,  Kamisako Koichi

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2008 .01

SiH4 / WF6 변화에 따른 플라즈마 화학증착 텅스텐의 플라즈마 분광분석 ( II ) ( Plasma Emission Spectroscopy of Plasma Enhanced CVD-W Deposition with the Variations of SiH4 / WF6 Ratio )

김용태 ,  민석기 ,  홍종성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Fe₃O₄ 박막의 증착 속도에 따른 광학적 특성 변화

정지윤 ,  김윤재 ,  정윤교 외 1명

한국생산제조학회 학술발표대회 논문집

2015 .04

ECR 플라즈마를 이용한 실리콘질화박막 증착

송선규 ,  장홍영

한국표면공학회지

1990 .12

원료물질에 따른 실리콘 질화막의 원자층 증착 특성 비교

이원준 ,  이주현 ,  이연승 외 2명

한국재료학회지

2004 .01