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이용수
Abstract
1. 序論
2. 解析 方法
3. 電子衝突 斷面積
4. 結果 및 考察
5. 結論
[參考 文獻]
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1999 .07
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전기학회논문지 P
2004 .06
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대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1990 .09
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2014 .11
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2002 .06
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전자공학회논문지
1988 .05
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전기학회논문지
1986 .05
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한국표면공학회지
1993 .02
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한국안전학회지
2007 .01
텅스텐 플러그 CVD 공정에서 SiH4 Soak의 영향
전기전자재료학회논문지
2003 .01
$SiH_4$ 첨가에 의한 저유전율 SiOF 박막의 유전 특성 안정화
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
박막 태양전지용 SiH₄ PECVD system의 수치 모델링
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2010 .05
$H_2O_2$와 $SiH_4$를 이용한 LPCVD 유동 산화막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
Ar/N₂/SiH₄/NH₃ 유도 결합형 플라즈마의 N₂ 함량에 따른 플라즈마 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
MCS-BEq에 의한 SiH4 氣體의 電子分布函數
대한전기학회 학술대회 논문집
2011 .11
TOF법을 이용한 SiH₄ 프라즈마중의 전자군파라미터특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
SiH4/H2 혼합기체를 multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .07
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