SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향

박재현 ,  이정중 ,  금동화

한국표면공학회지

1993 .02

SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

SiH4/H2 혼합기체를 multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구

김태환 ,  손의정 ,  위성석 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .07

텅스텐 플러그 CVD 공정에서 SiH4 Soak의 영향

이우선 ,  서용진 ,  김상용 외 1명

전기전자재료학회논문지

2003 .01

증착 압력이 a-Si:H막의 전도도와 광학적 특성에 미치는 영향

전법주 ,  정일현

공업화학

1999 .01

SiH₄/H₂ 혼합기체를 Multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구

김태환 ,  김동현 ,  이호준

전기학회논문지

2014 .02

SiH₄ 플라즈마중의 전자수송특성 해석

이형윤 ,  하성철 ,  김대연

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .11

SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )

김용태 ,  김춘근 ,  민석기

전자공학회논문지

1988 .05

저압화학기상증착법에 의한 $Si_3N_4$ 내산화.내마모 코팅

이승윤 ,  김옥희 ,  예병한 외 2명

한국재료학회지

1995 .01

H2 / SiH4 와 마이크로웨이브 출력에 따른 ECRPCVD A-Si : H 박막의 특성 ( The Characteristic of A-Si : H Films prepared by ECRPCVD As a Function of H2 / SiH4 and Microwave Power )

강문상 ,  이진엽 ,  전범주 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

H2 / SiH4 와 마이크로웨이브 출력에 따른 ECRPCVD A-Si:H 박막의 특성

강문상 ,  이진엽 ,  전법주 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

SiH₄-Ar혼합기체의 전자분포함수 해석

金相南

전기학회논문지 P

2004 .06

SiH₄+Ar혼합기체의 전자군 파라미터 해석

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .06

Contact Barrier metal용 LPCVD W막의 전기적 특성에 대한 $SiH_4/WF_6$비의 효과

이종무 ,  박원구 ,  임영진 외 2명

한국재료학회지

1993 .01

SiH4 / WF6 변화에 따른 플라즈마 화학증착 텅스텐의 플라즈마 분광분석 ( II ) ( Plasma Emission Spectroscopy of Plasma Enhanced CVD-W Deposition with the Variations of SiH4 / WF6 Ratio )

김용태 ,  민석기 ,  홍종성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

유체 시뮬레이션을 이용한 N₂/SiH₄/NH₃ 유도 결합형 플라즈마 특성 연구

서권상 ,  김동현 ,  이호준

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .10

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF Ti-Si-N THIN FILMS BY SEQUENTIAL INTRODUCTION OF $TiCl_4,{\;}SiH_4$ AND $NH_3$

Min ,  Jae-Sik ,  Kang 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

$H_2O_2$와 $SiH_4$를 이용한 LPCVD 유동 산화막의 특성

안상태 ,  박상균 ,  김시범 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01