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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이상현 (서울시립대학교 재료공학과) 송오성 (서울시립대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제6호
발행연도
2002.1
수록면
508 - 512 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2002

전기로를 이용한 Si || SiO/SiN || Si 이종기판쌍의 직접접합
이상현 ,  이상돈 ,  서태윤 외 1명 한국재료학회지 2002.01 학술저널
사점굽힘시험법을 이용한 이종절연막 (Si/SiO||SiN/Si) SOI 기판쌍의 접합강도 연구
이상현 ,  송오성 한국재료학회지 2002.01 학술저널
열처리 방법에 따른 SiO-SiN SOI 기판쌍의 접합강도변화
이상현 ,  송오성 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료
선형가열기를 이용한 Si∥SiO2/Si3N4∥Si 이종기판쌍의 직접접합
이상현 ,  송오성 ,  이상돈 전기전자재료학회논문지 2002.01 학술저널

2001

전기로를 이용한 $Si∥SiO_2/Si_3N_4∥Si$기판쌍의 직접접합
이상현 ,  이상돈 ,  서태윤 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

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$2000{\AA}-SiO_2/Si(100)$ and $560{\AA}-Si_3N_4/Si(100)$ wafers, which are 10 cm in diameter, were directly bonded using a rapid thermal annealing method. We fixed the anneal time of 30 second and varied the anneal temperatures from 600 to $1200^{\circ}C$. The bond strength of bonded wafer pairs at given anneal temperature were evaluated by a razor blade crack opening method and a four-point bonding method, respectively. The results clearly slow that the four-point bending method is more suitable for evaluating the small bond strength of 80~430 mJ/$\m^2$ compared to the razor blade crack opening method, which shows no anneal temperature dependence in small bond strength.
#direct bonding #$ #Si/SiO_2{parallel}{Si_3}{N_4}/Si)$ wafer pains #rapid thermal annealing #four-point bonding method #razor blade crack opening method

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