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정호경 (부산대학교) 정선호 (부산대학교) 조호성 (부산대학교) 김민지 (부산대학교) 정해도 (부산대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 한국정밀공학회 2021년도 춘계학술대회 논문집
발행연도
2021.5
수록면
22 - 22 (1page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2021

화학 기계적 연마에 의한 탄화규소(SiC)의 표면 거칠기 향상
정호경 ,  정선호 ,  조호성 외 2명 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2021.05 학술대회자료

2020

탄화규소(SiC)의 연마시 슬러리 온도 변화에 따른 재료제거율 향상
정호경 ,  정해도 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2020.09 학술대회자료

초록· 키워드

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탄화규소(Silicon Carbide, SiC)는 높은 경도, 고강도, 낮은 열팽창 계수 및 높은 열전도율의 장점을 가지고 있어, 고전력, 고주파, 고온환경에서도 안정적인 동작이 가능하여 차세대 화합물 반도체로서 각광받고 있다. 이러한 탄화규소가 고출력 파워 반도체 기판 재료로서 활용되기 위해서는, 결함이 없는 표면 평탄화가 이루어져야 하며, 이를 위해 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)를 실시한다. 탄화규소는 여러 결정 형태로 존재한다. 본 연구에서는 4H 단결정 탄화규소를 준비하였고, 이를 2 인치 웨이퍼 형태로 성형하였다. 같은 조건에서 화학 기계적 연마를 평가하기 위해, 전 가공으로서 3 마이크로미터 입자 크기의 다이아몬드 슬러리를 이용하여 기계적 연마(Mechanical Polishing)를 실시하였다. 연마 결과를 비교하기 위해 원자현미 ... 전체 초록 보기
#Silicon carbide #Chemical mechanical polishing #Surface roughness #Slurry #Atomic force microscopy

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