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- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 77 - 77 (1page)
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선택적 원자층 증착법 (Area-selective Atomic Layer Deposition; ALD)는 특정 영역에 원하는 물질을 증착하기 위해 표면 화학의 장점을 이용하는 증착법이다. 그러므로, 이 공정을 통해, 반도체 공정에서 많은 노광과 식각 단계를 줄일 수 있으며, 이를 통해 패터닝 공정의 다양한 에러를 줄일 수 있으며, 제작비용을 획기적으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 선택적 원자층 증착법으로 만든 자가 정렬 하드 마스크는 비아 홀의 식각과 후속 금속 배선 공정에서의 금속선의 증착과정에서 가이드 역할을 해줌으로써, 메탈 층간의 쇼트를 원천적으로 피할 수 있다. 현재까지, 몇몇의 금속 산화물 시스템(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, TiO<SUB>2</SUB>, ZnO, HfO<SUB>2</SUB>)이 선택적 원자층 증착법으로 보고가 되었다. 하드 마스크의 응용을 위해, Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>는 다른 금속 산화물 대비 높은 hardness과 에칭 선택비를 위한 화학적 안정성 등의 다양한 장점을 갖고 있다. 그러나, 원자층 증착 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>의 광대한 연구에도 불구하고, 선택적 원자층 증착 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>의 연구는 그 수가 현저히 적다. 더욱이, 기존 연구 결과에서, Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>는 성장을^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10599433');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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