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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.10
- 수록면
- 78 - 83 (6page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2023.60.10.78
이용수
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본 논문에서는 1GHz ~ 6GHz 대역내에서 동작하는 두 가지 종류의 스위치를 설계하여 성능을 분석․연구하였다. 직·병렬 비대칭 적층형 스위치는 직․병렬 스위치의 입력 송신단에만 2개의 FET를 스택 구조로 추가 연결하여 비대칭 구조가 되도록 스위치를 설계하여 특성을 비교하였다. 직․병렬비대칭 적층형 스위치의 경우 송신 경로의 특성은 1GHz∼6GHz 대역에서 1.5dB 이하의 삽입손실과 25dB이상의 격리도를 얻었고, 송신단 전력측에서도 1~3dB 정도 감소가 있었으며 직·병렬SPDT스위치는 송신경로에서는 1dB 이하의 삽입손실과 30dB 이상의 격리도, 0.24dB의 전력이 감소되어 전체적인 성능면에서 직·병렬스위치가 우수한 것으로 연구되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
Kang Ho Lee, Kyung Heon Koo “High Isolation Linearty MMIC Switch for Dual Band Wireless LAN Applications)” Journal of the IEIE, vol. 43, TC, no.1, pp. 143-148, Jan. 2006.
H. Tosaka, T. Fujii, K. Miyakoshi, K. Ikenaka, and M. Takahashi , “An Antenna Switch MMIC Using E/D Mode P-HEMT for GSM/DCS/PCS/WCDMA Bands Applications,” IEEE RFIC Symp. Dig., pp. 519-522, June 2003.
M. Masuda, N. Ohbata, H. Ishiuchi, K. Onda, and R. Yamamoto, “High Power Hetero-junction GaAs Switch IC with P-ldB of More Than 38dBm for GSM Application,” IEEE GaAs IC Symposium Digest, pp. 229-232, 1998.
H. Uda, T. Yamada, T. Sawai, K. Nogawa, and Y. Harada, “High Performance GaAs Switch IC’'s Fabricated Using MESFETs with Two Kinds of Pinch-off Voltage and A Symmetrical Pattem Configuration,” IEEE Journal of Solid-state Circuits, Vol. 29, No. 10, pp. 126
A. Rofougaran et. al., “A lGHz CMOS RF front-end IC for A Direct Conversion Wireless Receiver,” IEEE J. Solid-State Circuits, vo1. 3 I, pp. 880-889, July 1996.
H. Tosaka, T. Fujii, K. Miyakoshi, K. Ikenaka, and M. Takahashi , “An Antenna Switch MMIC Using E/D Mode P-HEMT for GSM/DCS/PCS/WCDMA Bands Applications,” IEEE RFIC Symp. Dig., pp. 519-522, June 2003.
M. Masuda, N. Ohbata, H. Ishiuchi, K. Onda, and R. Yamamoto, “High Power Hetero-junction GaAs Switch IC with P-ldB of More Than 38dBm for GSM Application,” IEEE GaAs IC Symposium Digest, pp. 229-232, 1998.
H. Uda, T. Yamada, T. Sawai, K. Nogawa, and Y. Harada, “High Performance GaAs Switch IC’'s Fabricated Using MESFETs with Two Kinds of Pinch-off Voltage and A Symmetrical Pattem Configuration,” IEEE Journal of Solid-state Circuits, Vol. 29, No. 10, pp. 126
A. Rofougaran et. al., “A lGHz CMOS RF front-end IC for A Direct Conversion Wireless Receiver,” IEEE J. Solid-State Circuits, vo1. 3 I, pp. 880-889, July 1996.
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