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Sudharsan Chinnaiyan (University of Arkansas) David Gonzalez Castillo (University of Arkansas) Pengyu Lai (University of Arkansas) Salahaldein Ahmed (University of Arkansas) Hao Chen (University of Arkansas) Xiaoling Li (University of Arkansas) Riya Paul (University of Arkansas) Yuxiang Chen (University of Arkansas) Zhong Chen (University of Arkansas) H. Alan Mantooth (University of Arkansas)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2023-ECCE Asia
발행연도
2023.5
수록면
387 - 393 (7page)

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This paper proposes a gate driver design for high-temperature power module applications based on low-temperature cofired ceramic (LTCC) substrates. The proposed gate drivers reduce the problem caused by thermal cycling and help achieve closer system integration. This makes the integrated power module operate in a wider range of temperatures and reduces the overall size of the power system. This work compares two suitable LTCC gate drives for use in conjunction with the power modules. Both LTCC-based gate drivers were characterized from 25℃ to 250℃. The experimental results of the gate drives resulted in fall and rise times of 61.28 ns and 31.5 ns, and 31 ns and 170 ns, respectively, for version-1 and version-2. In addition, a power module with integrated LTCC-based gate drivers is proposed.
#High temperature SiC power module #High temperature optocoupler #LTCC #Wideband gap devices

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DESIGN AND OPTIMIZATION OF LTCC BASED GATE DRIVER
III. DESIGN OF SIC POWER MODULE WITH INTEGRATED GATE DRIVE
IV. CONCLUSION AND FUTURE WORK
REFERENCES

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