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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.7
- 수록면
- 529 - 537 (9page)
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본 논문에서는 Dual oxide를 갖는 Nano scale CMOSFET에서 각 소자의 Hot-carrier 특성을 분석하여 두 가지 중요한 결과를 나타내었다. 하나는 NMOSFET Thin/Thick인 경우 CHC stress 보다는 DAHC stress에 의한 소자 열화가 지배적이고, Hot electron이 중요하게 영향을 미치고 있는 반면에 PMOSFET에서는 특히 Hot hole에 의한 영향이 주로 나타나고 있다는 것이다. 다른 하나는 Thick MOSFET인 경우 여전히 NMOSFET의 수명이 PMOSFET의 수명에 비해 작지만, Thin MOSFET에서는 오히려 PMOSFET의 수명이 NMOSFET보다 작다는 것이다. 이러한 분석결과는 Charge pumping current 추정을 통해 간접적으로 확인하였다. 따라서 Nano-scale CMOSFET에서의 NMOSFET보다는 PMOSFET에 대한 Hot carrier lifetime 감소에 관심을 기울여야 하며 Hot hole에 대한 연구가 진행되어야 한다고 할 수 있다.
목차
요약
Abstract
1.서론
2.실험방법
3.실험결과
4.결론
참고문헌
저자소개
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