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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第5號
발행연도
2007.5
수록면
1 - 7 (7page)

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Sol-gel 법으로 quartz 기판 위에 Al 도핑 농도와 열처리 온도에 따른 AZO 박막을 제작하였다. 1 % Al 이 도핑되고 550 ℃ 에서 열처리한 ZnO 박막에서 가장 우수한 (002) 배향성과 가장 평탄한 박막 (1.084 ㎚) 이 제작되었다. 모든 박막은 가시광 영역에서 약 80 % 이상의 투과율을 보였으며, Al 농도가 증가할수록 에너지 밴드 갭이 넓어지는 Burstein-Moss 효과가 관찰되었다. Hall 측정 결과, 순수한 ZnO 박막보다 Al 이 도핑된 ZnO 박막에서 캐리어 농도의 증가와 비저항 값의 감소가 나타났다. 또, Al 의 도핑 농도가 증가함에 따라 segregation 효과로 인한 캐리어 농도의 감소와 비저항 값의 증가가 관찰되었다. 1% Al 이 도핑되고 550 ℃ 에서 열처리한 ZnO 박막에서 가장 큰 캐리어 농도 (1.80×10<SUP>19</SUP> ㎝?³) 와 가장 낮은 비저항 (0.84 Ω㎝) 값을 나타내었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

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