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한국통신학회 한국통신학회논문지 한국통신학회논문지 제33권 제6호(통신산업응용)
발행연도
2008.6
수록면
201 - 206 (6page)

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본 논문은 SOI DTMOS 소자의 온도에 따라 hot carrier에 의해 유발되는 소자열화 현상에 대한 연구를 수행한 것으로서, 낮은 스트레스 게이트 전압과 높은 스트레스 게이트 전압 두 가지를 인가하였다. 낮은 gate전압에서 고온으로 stress된 소자의 열화현상은 보다 높은 gate전압에서 낮은 온도로 stress된 소자의 열화보다 큼을 알 수 있었다. 그리고 DTMOS 소자와 PD MOS 소자의 온도에 따른 hot carrier영향을 비교·분석하였으며, PD MOS소자와 비교하여 DTMOS 소자의 열화가 적은 것은 gate와 body사이의 연결에 의한 문턱전압의 감소를 초래하는 lateral electric field의 감소에 의한 것임을 알 수 있었다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 연구방법
Ⅲ. 연구결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

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