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김태하 (인천대학교) 황달성 (인천대학교) 임영순 (인천대학교) 김용택 (하이닉스반도체) 박종태 (인천대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 전자 정보 통신 학술 대회 논문집 (CEIC) 2010
발행연도
2010.10
수록면
59 - 63 (5page)

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본 논문에서는 hot carrier와 NBTI에 의한 p-channel MuGFETs(Multiple Gate FETs) 소자열화 특성을 측정 분석 하였다. 채널 폭에 따른 소자열화를 분석하기 위하여 fin 높이는 60nm 이며, 폭은 55nm, 60nm, 65nm, 3종류의 tripple gate 형태인 MuGFET 를 측정하였다. 보다 정확한 NBTI 측정을 위하여 on-the-f1y 방법을 사용했으며, 포화 드레인 전류량 변화로 소자의 열화 정도를 온도 변화와 스트레스 시간에 따라 분석 하였다. NBTI 스트레스 후에는 fin width가 좁을수록 소자열화가 증가하였고, hot carrier 스트레스의 경우는 fin width가 넓을수록 소자열화가 증가하였다. Hot carrier와 NBTI 스트레스 모두 온도가 높아질수록 소자열화가 증가했는데, hot carrier 스트레스의 경우 온도가 증가하고 fin width가 넓어질수록 hot carrier와 NBTI의 상호작용으로 인해 소자열화가 증가하는 것으로 사료된다.

목차

요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 및 측정
Ⅲ-l. NBTI에 의한 소자 열화
Ⅲ-2. Hot carrier에 의한 소자 열화
Ⅳ. 결론
참고문헌

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