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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.5
- 수록면
- 87 - 91 (5page)
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This study describes the proximity effect correction in an electron beam lithography. When the electron beam exposes into the resist, the beam tends to spread inside the substance (forward scattering), and to be reflected from substrate spreads (back scattering). These two effects of this electrons causes the distortion in the distribution of the energy, it is called a proximity effect. To compensate the effect, a dose control and added beam method are investigated, resulting in less proximity effect on the pattern with enhanced shapes.
목차
Abstract
1. 서론
2. 전자빔 에너지 분포
3. 근접효과 보정
4. 결론
후기
참고문헌
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