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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
林土羽 (홍익대학교) 張晙瑢 (홍익대학교) 金榮珉 (홍익대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제57권 제2호
발행연도
2008.2
수록면
235 - 238 (4page)

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This paper explores 28 ㎚ MOSFET design for LSTP (Low Standby Power) applications using TCAD (Technology Computer Aided Design) simulation. Simulated results show that the leakage current of the MOSFET is increasingly dominated by GIDL (Gate Induced Drain Leakage) instead of a subthreshold leakage as the Source/Drain extension doping increases. The GIDL current can be reduced by grading lateral abruptness of the drain at the expense of a higher Source/Drain series resistance. For 28 ㎚ MOSFET suggested in ITRS, we have shown Source/Drain design becomes even more critical to meet both leakage current and performance requirement.

목차

Abstract
1. 서론
2. 시뮬레이션
3. 결과 및 토의
4. 결론
감사의 글
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