p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

산화막 변화에 의한 p-MOSFET에서 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류 ( GIDL Current Effects in p-MOSFET's by gate oxide variation )

정연식 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설(GIDL) 전류 열화

배지철 ,  정연식 ,  최혁환 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설 ( GIDL ) 전류 열화 ( Gate-Induced-Drain-Leakage ( GIDL ) Current Degradations of Drain-gate Overlap Region in MOSFET's )

배지철 ,  정연식 ,  이용재 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

p-MOSFET에서 NBTI 스트레스의 GIDL 전류에 대한 영향 분석

송재열 ,  이종형 ,  한대현 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

2008 .11

MOSFET I-V 그래프에서 단일트랩이 GIDL current에 미치는 영향분석

이현슬 ,  유성원 ,  신형철

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

고속용 p-MOSFET에서 NBTI 스트레스에 의한 GIDL 전류의 특성 분석

송재열 ,  이종형 ,  한대현 외 1명

한국정보통신학회논문지

2009 .02

저전력 응용을 위한 28 ㎚ 금속 게이트/high-k MOSFET 디자인

林土羽 ,  張晙瑢 ,  金榮珉

전기학회논문지

2008 .02

Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석

이상현 ,  백록현 ,  박찬훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Instability in GIDL Current of Thermally-Nitrided-Oxide N-MOSFET's

Z. J. Ma ,  P. T. Lai ,  Y. C. Cheng 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석

이상현 ,  백록현 ,  박찬훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET

Duckseoung Kang ,  Dokyun Son ,  Hyunsuk Kim 외 2명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

고속용 p-MOS 트랜지스터에서 NBTI 스트레스에 의한 특성 인자의 열화 분석

이용재 ,  이종형 ,  한대현

한국통신학회논문지

2010 .01

드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )

정연식 ,  권상수 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

피-모스에서 교류 스트레스 동안 게이트에 유기된 드레인 누설전류 ( Gate-Induced Drain Leakage Current During AC Stress with P-MOS Transistor )

정연식 ,  배지철 ,  이용재

한국통신학회 학술대회논문집

1995 .11

MOSFET에서 게이트전압에 의존하는 소오스 / 드레인 저항을 추출하는 간단한 방법 ( Simple Extraction Method for Gate-Voltage Dependent Source / Drain Resistance in MOSFETs )

이명복 ,  이정일 ,  강광남 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

GIDL 전류 RTN을 발생시키는 트랩 특성에 대한 통계적 분석

유성원 ,  서영수 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

EPS용 MOSFET 드레인 전류 측정 방법에 관한 연구

원우석 ,  이형욱 ,  고수현 외 5명

한국자동차공학회 춘 추계 학술대회 논문집

2008 .11

GIDL Current Modulation in a Gated Diode Synaptic Device with High-K Gate Stack

Min Kyu Pa ,  k ,  Jong-Ho Bae 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2019 .06