Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석

이상현 ,  백록현 ,  박찬훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

산화막 변화에 의한 p-MOSFET에서 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류 ( GIDL Current Effects in p-MOSFET's by gate oxide variation )

정연식 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설(GIDL) 전류의 효과

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

이차원 양자 효과를 고려한 극미세 Double-Gate MOSFET 특성 분석

김지현 ,  손애리 ,  정나래 외 1명

전자공학회논문지-SD

2008 .10

Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

p-MOSFET에서 NBTI 스트레스의 GIDL 전류에 대한 영향 분석

송재열 ,  이종형 ,  한대현 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

2008 .11

MOSFET I-V 그래프에서 단일트랩이 GIDL current에 미치는 영향분석

이현슬 ,  유성원 ,  신형철

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Instability in GIDL Current of Thermally-Nitrided-Oxide N-MOSFET's

Z. J. Ma ,  P. T. Lai ,  Y. C. Cheng 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석

박지선 ,  신형순

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

고속용 p-MOSFET에서 NBTI 스트레스에 의한 GIDL 전류의 특성 분석

송재열 ,  이종형 ,  한대현 외 1명

한국정보통신학회논문지

2009 .02

GIDL Current Modulation in a Gated Diode Synaptic Device with High-K Gate Stack

Min Kyu Pa ,  k ,  Jong-Ho Bae 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2019 .06

Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 따른 GIDL 분석

김신근 ,  서영수 ,  강명곤 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET

Duckseoung Kang ,  Dokyun Son ,  Hyunsuk Kim 외 2명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

이중게이트 MOSFET에서 채널도핑농도에 따른 문턱전압이하 특성 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2008 .10

모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설(GIDL) 전류 열화

배지철 ,  정연식 ,  최혁환 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설 ( GIDL ) 전류 열화 ( Gate-Induced-Drain-Leakage ( GIDL ) Current Degradations of Drain-gate Overlap Region in MOSFET's )

배지철 ,  정연식 ,  이용재 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Gate Oxide Thickness- and Channel Length-Dependent Subthreshold Swing Characteristics for Double-gate MOSFETs

Hak-Kee Jung ,  Ji-Hyeong Han ,  Choon-Shik Pa 외 1명

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2011 .06

A Compact Model of Gate-Voltage-Dependent Quantum Effects in Short-Channel Surrounding-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Jihyun Kim ,  Wookyung Sun ,  Seunghye Pa 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2011 .12