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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
나현석 (충북대학교) 김두환 (충북대학교) 조경록 (충북대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2010년 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
569 - 572 (4page)

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2010

3-D 구조에서 TSV의 전달 지연 분석
나현석 ,  김두환 ,  조경록 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
3-D 구조에서 TSV의 전달 지연 분석
나현석 ,  김두환 ,  조경록 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

초록· 키워드

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In this paper, we analyze propagation delay of TSV (through silicon via) that is an interconnection technology for the 3-D (threedimensional) chip stacking. We propose an electrical model for TSV considering copper(Cu) in the inner TSV, SiO₂ around TSV, pads to connect the each layer and a buffer for input signal. The propagation delay variation on TSV is simulated with parameters as diameter of TSV, the number of stacking layer, fan-out and number of buffers under 0.35㎛ CMOS process.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. TSV 구조
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌

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