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저자정보
Hoon Lee (고려대학교) Dae-Soon Lim (고려대학교) Sang-Ick Lee (하이닉스반도체)
저널정보
한국트라이볼로지학회 한국트라이볼로지학회 학술대회 한국윤활학회 2002년도 Proceedings of The Second Asia International Conference on Tribology
발행연도
2002.10
수록면
443 - 444 (2page)

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The uniformity of field oxide is critical to isolation property of device in STI, so the control of field oxide thickness in STI-CMP becomes enormously important. The loss of field oxide in shallow trench isolation comes mainly from dishing and erosion in STI-CMP. In this paper, the effect of slurries on the dishing was investigated with both blanket and patterned wafers were selected to measure the removal rate, selectivity ... 전체 초록 보기
#Chemical mechanical polishing #CMP #STI #slurry #dishing mechanism #pH

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