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- 2002.1
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Chemical mechanical polishing(CMP) process has been widely used to planarize dielectric layers, which can be applied to the integrated circuits for deep sub-micron technology. The reverse moat etch process has been used for the shallow trench isolation(STI)-chemical mechanical polishing(CMP) process with conventional low selectivity slurries. Thus, the process became more complex, and the defects were seriously increased. In this paper, we studied the direct STI-CMP process without reverse moat etch step using high selectivity slurry(HSS). As our experimental results, it was possible to achieve a global planarization without the complicated reverse moat process, and the STI-CMP process could be dramatically simplified, the defect level was reduced, and therefore the throughput, yield and stability in the ULSI semiconductor device fabrication could be greatly improved.
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