지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 38 - 41 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
Amorphous Ta₁-xZrxO/SiO₂ composite gate dielectric film and SiO₂ passivation layer are deposited on InP substrate by atomic layer deposition. The interfacial chemical, physical, and electrical properties of the Ta₁-xZrxO/InP and Ta₁-xZrxO/SiO₂/InP MOS structures are compared in details. Electrical conduction properties combined with chemical bonding analysis with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and transmission electron microscopy (TEM) were examined. Effect on Indium diffusion through Ta₁-xZrxO high-k gate dielectrics were minimized by SiO₂ passivation layer. Significant reduction of the interfacial In and P oxide layer thickness and effectively reduces the interface trap states and thus unpin the Femi level, resulting from indium diffusion upon SiO₂ passivation, is confirmed by the parallel conductance contour plot.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussions
Ⅲ. Conclusion
References
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
SIMS를 이용한 SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si 및 SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si 적층 박막내의 Na 게터링 분석
한국표면공학회지
2018 .04
-
Microscopic evidence of strong interactions between chemical vapor deposited 2D MoS2 film and SiO2 growth template
Nano Convergence
2021 .04
-
저온 Atomic Layer Deposition을 이용한 SiO₂ 박막의 Perovskite solar cells 적용
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2023 .11
-
Analysis of Optical and Electrical Properties of SiO₂/Poly-SiO₂ Structure with Various Oxygen Content
AFORE
2021 .10
-
Effects of PECVD SiO₂ Gate Dielectric Thickness on Recessed AlGaN/GaN MOS-HFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2018 .04
-
스케일-업 된 초음파 분무 열분해 공정을 이용한 구형 SiO2 분말 합성
한국결정성장학회지
2019 .01
-
CO2가스를 이용하여 증착된 터널층의 계면포획밀도의 감소와이를 적용한 저전력비휘발성 메모리 특성
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
SiO₂ 절연박막에 의해서 바나듐옥사이드 박막이 전도성이 높아지는 원인분석
한국산학기술학회 논문지
2018 .08
-
High Temperature Oxidation Resistance of Ni-(5~13)Co-(10~16)Cr-(5~9)W-5Al- (1~1.5)Ti-(3~6)Ta Alloys
Metals and Materials International
2016 .01
-
Light induced recombination center at SiO2/Si interface by the reactive plasma deposition
Electronic Materials Letters
2021 .09
-
PVDF(polyvinylidene fluoride)와 SiO₂의 열처리를 이용한 요크-쉘(yolk-shell) 구조의 SiO₂/C 입자 합성
대한기계학회 논문집 B권
2023 .08
-
RF Sputtering 방법으로 증착된 배향막용 SiO₂ 박막의 특성
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2019 .05
-
AlOx/c-Si 계면에 생성된 SiO₂가 Passivation 특성에 미치는 영향
한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집
2022 .04
-
SiO₂ 박막 클리닝(Cleaning)시 효율 개선에 관한 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2016 .05
-
최적화 된 SiO₂ / SiON Stack Passivation Layer의 특성 분석 및 고효율 N-type c-Si 태양전지 적용에 관한 연구
한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집
2018 .11
-
Effect of SiO2 and Nb2O5 Buffer Layer on Optical Characteristics of ITO Thin Film
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2015 .01
-
Dielectric properties of KTN(80/20) thin films with pzt buffer layer for tunable microwave devices
Journal of Ceramic Processing Research
2022 .02
-
기판 고유의 선택비를 활용한 SiO₂ 박막의 영역 선택적 증착법
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2021 .06
-
Bipolar resistive switching characteristics of Ta/TaxMnyOz/Pt structure for ReRAM application with large resistance window
Electronic Materials Letters
2024 .01
-
결정질 실리콘 태양전지 적용을 위한 ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 패시베이션 막의 산화질화막 적층 특성
한국재료학회지
2015 .01
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
PECVD를 이용하여 질화된 AISI4140의 화합물층 유무에 따른 기계적 특성 연구
정연주
,
박현준
,
김형순
외 1명
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2015
.05
PVD법을 통해 제작한 Al-Mg 코팅막의 구조와 내식성 상관관계
강재욱
,
박준무
,
윤용섭
외 2명
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2015
.05
Substrate Temperature Dependence of Microcrystalline Silicon Thin Films by Combinatorial CVD Deposition
Yeonwon Kim
한국표면공학회지
2015
.06
플라즈마를 이용한 나노입자의 제조
김태성
기계저널
2015
.06
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2016-569-001691473