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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.3
- 수록면
- 769 - 777 (9page)
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This work focuses on current sharing between punch-through insulated gate bipolar transistors (IGBTs) connected in parallel and evaluates the mechanisms that allow overall current balancing. Two different control strategies are presented. These strategies are based on the modification of transistor gate-emitter control voltage VGE by using an active gate driver circuit. The first strategy relies on the calculation of the average value of the current flowing through all parallel-connected IGBTs. The second strategy is proposed by the authors on the basis of a current cross reference control scheme. Finally, the simulation and experimental results of the application of the two current sharing control algorithms are presented.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. CURRENT SHARING
III. CURRENT SHARING CONTROL STRATEGIES
IV. SIMULATION RESULTS
V. CONTROL IMPLEMENTATION
VI. EXPERIMENTAL RESULTS
VII. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (29)
참고문헌 신청
B. R. Pelly, “Choosing between multiple discretes and high current modules,” International Rectifier Application note DT94-2, 1994.
Dorin O. Neacsu, Power-Switching Converters: Medium and High Power, Chapter 12: Parallel and Interleaved Power Converters. CRC Press, ISBN 978-1-4200-1553-9, Oct. 2014.
Parallel Operation of IGBT Discrete Devices, IXYS Application note IXAN0058, 2006.
T. Nishimura, H. Kakiki, and T. Kobayashi, “High-power IGBT Modules for Industrial Use,” Fuji Electric Review, Vol. 52, No. 2, pp. 53-57, 2006.
B. Jayant Baliga, The IGBT device. Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor, Elsevier, ISBN: 978-1-4557-3143-5, Mar. 2015.
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