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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.4
- 수록면
- 61 - 66 (6page)
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Total thickness variation (TTV), BOW, and surface roughness are essential characteristics for high quality sapphire substrates. Many researchers have attempted to increase removal rate by controlling the key process parameters like pressure and velocity owing to the high cost of consumables in sapphire chemical mechanical polishing (CMP). In case of the pressure approach, increased pressure owing to higher deviation of pressure over the wafer leads to significant degradation of the TTV. In this study, the authors focused on reducing TTV under the high-pressure conditions. When the production equipment polishes multiple wafers attached on a carrier, higher loads seem to be concentrated around the leading edge of the head; this occurs because of frictional force generated by the combination of table rotation and the height of the gimbal of the polishing head. We believe the skewed pressure distribution during polishing to be the main reason of within-wafer non-uniformity (WIWNU). The insertion of a hub ring between the polishing head and substrate carrier helped reduce the pressure deviation. Adjusting the location of the hub ring enables tuning of the pressure distribution. The results indicated that the position of the hub ring strongly affected the removal profile, which confirmed that the position of the hub ring changes the pressure distribution. Furthermore, we analyzed the deformation of the head via finite element method (FEM) to verify the pressure non-uniformity over the contact area Based on experiment and FEM results, we determined the optimal position of hub ring for achieving uniform polishing of the substrate.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental Setup
3. Discussion
4. Conclusions
References
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
X. Hu, Z. Song, Z. Pan, W. Liu, L. Wu, “Planarization machining of sapphire wafers with boron carbide and colloidal silica as abrasives,” Appl. Surf. Sci., Vol. 225, 8230-8234, 2009.
J. Murata, A. Kubota, K. Yagi, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura, K. Yamauchi, “Chemical planarization of GaN using hydroxyl radicals generated on a catalyst plate in H2O2 solution”, J. Cryst. Growth, Vol. 310, 1637-1641, 2008.
J. H. An, G. S. Lee, W. J. Lee, B. C. Shin, J. D. Seo, K. R. Ku, H. D. Seo, H. D. Jeong, “Effect of process parameters on material removal rate in chemical mechanical polishing of 6H–SiC(0001)”, Mater. Sci. Forum, Vol. 600-603, 831-834, 2009.
C. J. Park, H. J. Kim, S. J. Lee H. D. Jeong, “The influence of abrasive size on high-pressure chemical mechanical polishing of sapphire wafer”, International journal of Precision Engineering and Manufacturing- Green Technology, Vol. 2, No. 2, 157-162, 2015.
Darren DeNardisa, Yoshiyuki Seikeb, Mineo Takaokab, Keiji Miyachib, Ara Philipossiana, “Investigation of high-pressure micro jet technology as an alternative to diamond disc conditioning in ILD CMP”, Wear, Vol. 260, Issues 11-12, 30 June 2006, 1224-1231.
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