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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제11권 제2호
발행연도
2004.1
수록면
29 - 35 (7page)

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65nm급 게이트 유전체로의 HfO2의 적용을 위해 hydrogen-terminate된 Si 기판과 ECR N2 plasma를 이용하여 SiNx를 형성한 기판 위에 MOCVD를 이용하여 HfO2를 증착하였다. 450oC에서 증착 시킨 박막의 경우 낮은 carbon 불순물을 가지며 비정질 matrix에 국부적인 결정화와 가장 적은 계면층이 형성 되었으며 이 계면층은 Hf-silicate임을 알 수 있었다. 또한 900oC, 30초간 N2 분위기에서 RTA 결과 HfO2/Si의 single layer capacitor의 경우 계면층의 증가로 인해 EOT가 열처리전(2.6nm) 보다 약 1nm 증가하였다. 그러나 HfO2/SiNx/Si stack capacitor의 경우 SiNx 계면층은 열처리후에도 일정하게 유지되었으며 HfO2 박막의 결정화로 열처리전(2.7nm)보다 0.3nm의 EOT 감소를 나타내었으며 열처리후에도 4.8´10-6A/cm2의 매우 우수한 누설전류 특성을 가짐을 알 수 있었다.
#Metal Organic Chemical Vapor Deposition #High-k Dielectric #HfO #Hf-t-butoxide

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