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논문 기본 정보

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저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제16권 제4호
발행연도
2009.1
수록면
41 - 48 (8page)

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A study on both etching characteristics and mechanism of Cl2/O2 gas were investigated. We obtained that the change of O2/(Cl2+O2) mixing ratio from 0 to 0.2 leads to the increase of electron average energy, electron drift rate and Electron Energy Distribution Function deformation due to a “transparency” effect and rate coefficients of electron impact processes also depend on a mixture content. The comparison of rate coefficients and rates of elementary processes have shown that the main mechanisms of Cl and O atoms formation are the direct electron impact dissociation of corresponding molecules while the contribution of all possible “secondary” processes is not significant in the case of a relatively low O2 addition. The main mechanisms of Cl and O atom formation are the direct electron impact dissociation of corresponding molecules while the contribution of all possible “secondary” processes is not significant in the case of a relatively low O2 addition.
#Plasma #Etching #Gas mixtures #Reaction

목차

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참고문헌 (7)

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B. Chapman / 1980 / Glow discharge processes / Wiley : 127 ~ google schola B. Kim / 1994 / An optimal neural network process model for plasma etching / IEEE Trans Semicond. Manufact 7 : 125 ~ google schola B. Kim / 2001 / Modeling plasma equipment using neural networks / IEEE Trans Plasma Sci 29 : 238 ~ google schola C.D. Himmel / 2000 / Advantages of plasma etch modeling using neural networks over statistical techniques / J. Vac. Sci. Technol. A 18 : 417 ~ google schola D.C. Monogomery / 1991 / Design and Analysis of Experiments / John Wiley & Sons : 259 ~ google schola

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