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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제14권 제5호
발행연도
2004.1
수록면
220 - 225 (6page)

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Four different Fluorine-based gases (SF6, NF3, PF5, and BF3) were examined for high rate Inductively Coupled Plasma etching of Si. Etch rates up to ~8 mm/min were achieved with pure SF6 discharges at high source power (1500 W) and pressure (35 mTorr). A direct comparison of the four feedstock gases under the same plasma conditions showed the Si etch rate to increase in the order BF3 < NF3 < PF5 < SF6. This is in good correlation with the average bond energies of the gases, except for NF3, which is the least strongly bound. Optical emission spectroscopy showed that the ICP source efficiently dissociated NF3, but the etched Si surface morphologies were significantly worse with this gas than with the other 3 gases.
#High rate dry etching #Si #Inductively coupled plasmas #Fluorine-based gases #MEMS

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/ / [ 5 ] See for example htp //www.sandia.gov/mstc/technolo-gies/microsensors/index.html which gives an overviewof microsensor R&D at Sandia National Laboratories. google schola / 19911991 / Rate constants for theetching of intrinsic and doped polycrystalline silicon bybromine atoms : 2635 ~ google schola / 1992 / Deep trenchplasma etching of single crystal silicon using SF6/O2 gasmixtures : 7 1105 ~ google schola / 1995 / Dep and fastplasma etching for silicon micromaching : 17 ~ google schola / 1996 / A survey on the reactive ion etchingof silicon in microtechnology 6 : 14 ~ google schola

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