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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제20권 제5호
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 403 - 410 (8page)
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In this paper, we have designed memristor based AND, OR, and exclusive-OR (XOR) gates. With the help of these gates, memristor based full adder circuit has proposed. Simulation results of the proposed circuit including all above gates have been reported. Prominent improvement of the proposed circuit has been represented in power consumption 54.74%, delay 14.84%, and lesser transistor count with respect to conventional circuit.
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참고문헌 (28)
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L. O. Chua / 1971 / Memristor the missing circuit element / IEEE Trans. Circuit Theory 18:507~519
R. Williams / 2008 / How we found the missing memristor / Spectr. IEEE 45(12):28~35
L. O. Chua / 1976 / Memristive devices and systems / Proc. IEEE 64(2):209~223
T. Devolder / 2008 / Single-shot time-resolved measurements of nanosecond-scale spin-transfer induced switching : stochastic versus deterministic aspects / Phys. Rev. Lett 100(5):057206
T. Prodromakis / 2011 / A versatile memristor model withnonlinear dopant kinetics / IEEE Trans. Electron Devices 58(9):3099~3105
R. Williams / 2008 / How we found the missing memristor / Spectr. IEEE 45(12):28~35
L. O. Chua / 1976 / Memristive devices and systems / Proc. IEEE 64(2):209~223
T. Devolder / 2008 / Single-shot time-resolved measurements of nanosecond-scale spin-transfer induced switching : stochastic versus deterministic aspects / Phys. Rev. Lett 100(5):057206
T. Prodromakis / 2011 / A versatile memristor model withnonlinear dopant kinetics / IEEE Trans. Electron Devices 58(9):3099~3105
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