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학술대회자료
저자정보
유호중 (성균관대학교) 한태희 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2022년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2022.11
수록면
320 - 323 (4page)

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With the scaling of DRAM process technology, the reliability problem of modern DRAM is emerging. A representative problem is Row Hammering, a phenomenon in which values stored in cells of adjacent rows are unintentionally bit-flipped by intensively activating the same row in the bank. One of the representative methods for overcoming the row hammering problem is PARA (Probabilistic Adjacent Row Activation), which uses probability-based additional row refresh techniques. In this paper, we propose E-PARA, complementing the existing PARA by adding a memory address buffer. Our evaluation shows that the energy consumption in the E-PARA model to prevent row hammering decreased by 31.08% compared to the previous PARA model, and the additional cycle decreased by 85.60%.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 실험 및 결과 분석
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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