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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.11
- 수록면
- 29 - 37 (9page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2023.60.11.29
이용수
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본 논문에서는 saddle fin dynamic random access memory (DRAM) 에 대한 total ionizing dose (TID) 와 displacement defect (DD) 영향을 Technology Computer-Aided Design (TCAD) simulation과 deep neural network (DNN) 를 사용해 조사하였다. Trap의 energy level, 농도, 위치 그리고 면적을 변수로 설정하였고, TCAD를 사용하여 saddle fin DRAM의 전류-전압 특성 dataset을 생성하였다. TCAD dataset을 전처리 과정을 거친 경우와 전처리를 하지 않은 경우로 나누어 DNN의 예측 정확도를 비교하였다. 그 결과 전처리 과정을 거쳐 훈련된 모델은 전처리 과정을 하지 않은 훈련 모델보다 mean square error (MSE) loss가 80 % 증가함과 동시에 R² score가 37 % 증가하였다. 따라서 DNN을 활용한 정확한 예측을 위해서는 전처리 과정이 필수적이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션 결과 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (32)
참고문헌 신청
T. Park et al., “Fabrication of body-tied FinFETs (Omega MOSFETs) using bulk Si wafers,” in Symp. VLSI Technol., Dig. Tech. Papers, 2003, pp. 135–136.
A. Spessot and H. Oh, "1T-1C Dynamic Random Access Memory Status, Challenges, and Prospects," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 4, pp. 1382-1393, April 2020, doi: 10.1109/TED.2020.2963911.
J. R. Schwank et al., "Radiation Effects in MOS Oxides," in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 55, no. 4, pp. 1833-1853, Aug. 2008, doi: 10.1109/TNS.2008.2001040.
Srour, J. R., Cheryl J. Marshall, and Paul W. Marshall. "Review of displacement damage effects in silicon devices." IEEE transactions on nuclear science 50.3 (2003): 653-670.
T. R. Oldham, K. W. Bennett, J. Beaucour, T. Carriere, C. Polvey, and P. Garnier, “Total dose failures in advanced electronics from single ions,” IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 40, no. 6, pp. 1820–1830, Dec. 1993.
A. Spessot and H. Oh, "1T-1C Dynamic Random Access Memory Status, Challenges, and Prospects," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 4, pp. 1382-1393, April 2020, doi: 10.1109/TED.2020.2963911.
J. R. Schwank et al., "Radiation Effects in MOS Oxides," in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 55, no. 4, pp. 1833-1853, Aug. 2008, doi: 10.1109/TNS.2008.2001040.
Srour, J. R., Cheryl J. Marshall, and Paul W. Marshall. "Review of displacement damage effects in silicon devices." IEEE transactions on nuclear science 50.3 (2003): 653-670.
T. R. Oldham, K. W. Bennett, J. Beaucour, T. Carriere, C. Polvey, and P. Garnier, “Total dose failures in advanced electronics from single ions,” IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 40, no. 6, pp. 1820–1830, Dec. 1993.
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