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이경엽 (경상국립대학교) 서민기 (경상국립대학교) 하종현 (경상국립대학교) 방민지 (경상국립대학교) 김정식 (경상국립대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2022년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2022.11
수록면
471 - 477 (7page)

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본 논문은 Dynamic Random Access Memory(DRAM)에서 bias 및 unbias에 대한 total ionizing dose(TID) effect를 감마선을 이용하여 연구하였다. 이온화 방사선에 의한 TID effect는 절연체에 트랩을 발생시켜, transistor의 누설 전류를 증가시킨다. 동일한 원리로 DRAM에서 누설 전류가 증가하기 때문에 DRAM 동작에서 다양한 오류를 보인다. 이 연구에서는 DDR4 SODIMM의 unbias와 bias 상태에 대한 감마선 열화 영향을 평가하였다. 결과는 unbias대비, bias상태에서 약 4.8배 이상의 증가된 error density를 보였다. 그 이유는 bias 상태에 따라 interface trap이 생성되는 정도가 달라지기 때문이다. Unbias 상태에서의 oxide trap 축적은 electrostatic barrier 역할을 하여 H+의 interface(oxide/channel) 방향으로 이동을 방해한다. 그러나 bias 상태에서는 강한 전계에 의해 H+의 이동이 방해 받지 않기 때문에 interface trap의 농도가 증가하게 된다. 결론적으로, bias 상태에서 더 많은 interface trap이 생성되기 때문에 error density가 증가한다.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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