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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第12號
발행연도
2007.12
수록면
61 - 70 (10page)

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메모리 기술이 발달함에 따라 메모리의 집적도가 증가하게 되었고, 이러한 변화는 구성요소들의 크기를 작아지게 만들고, 고장의 감응성이 증가하게 하였다. 그리고 고장은 더욱 복잡하게 되었다. 또한, 칩 하나에 포함되어있는 저장 요소가 늘어남에 따라 테스트 시간도 증가하게 되었다. 그리고 SOC 기술의 발달로 대용량의 내장 메모리를 통합할 수 있게 되었지만, 테스트과정이 복잡하게 되어 외부 테스트 환경에서는 내장 메모리를 테스트하기 어렵게 되었다. 본 논문에서 제안하는 테스트 구조는 내장 테스트를 사용하여 외부 테스트 환경 없이 테스트가 가능하다. 제안하는 내장 테스트 구조는 다양한 알고리즘을 적용 가능하므로, 생산 공정의 수율 변화에 따른 알고리즘 변화에 적용이 가능하다. 그리고 메모리에 내장되어 테스트하므로, At-Speed 테스트가 가능하다. 즉, 다양한 알고리즘과 여러 형태의 메모리 블록을 테스트 가능하기 때문에 높은 효율성을 가진다.
#Memory #BIST #Programmable BIST #Embedded Memory

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 기존 연구
Ⅲ. 제안하는 프로그램 가능한 내장 자체 테스트
Ⅳ. 실험 결과
Ⅴ. 결론
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저자소개

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