SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )

김용태 ,  김춘근 ,  민석기

전자공학회논문지

1988 .05

비휘발성 기억소자용 PECVD질화막의 특성에 관한 연구

李相培 ,  李根赫 ,  徐光烈

전기학회논문지

1993 .12

박막 태양전지용 SiH₄ PECVD system의 수치 모델링

주정훈

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2010 .05

전하주입조건에 따른 비휘발성 MNOS 기억소자의 기억유지특성에 관한 연구

이경륜 ,  이상배 ,  이상은 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1993 .07

PECVD의 주파수 조건에 따른 $SiN_x$막 증착

최정호 ,  노시철 ,  정종대 외 1명

반도체디스플레이기술학회지

2014 .01

PECVD에 의한 질화 실리콘 박막의 증착

허창우

한국정보통신학회논문지

2007 .11

N₂/NH₃SiH₄ 유도 결합형 플라즈마의 압력과 혼합가스 비율에 따른 이온 및 중성기체 밀도 분포

서권상 ,  김동현 ,  이호준

전기학회논문지

2017 .02

PECVD 실리콘질화막에 대한 이온빔 방사효과

이상환 ,  이중환 ,  서경수 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Ar/N₂/SiH₄/NH₃ 유도 결합형 플라즈마의 N₂ 함량에 따른 플라즈마 특성 분석

서권상 ,  한문기 ,  김동현 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .07

플렉서블 디스플레이의 적용을 위한 저온 실리콘 질화물박막성장의 특성 연구

임노민 ,  김문근 ,  권광호 외 1명

전기전자재료학회논문지

2013 .01

SiH₄/H₂ 혼합기체를 Multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구

김태환 ,  김동현 ,  이호준

전기학회논문지

2014 .02

SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향

박재현 ,  이정중 ,  금동화

한국표면공학회지

1993 .02

유체 시뮬레이션을 이용한 N₂/SiH₄/NH₃ 유도 결합형 플라즈마 특성 연구

서권상 ,  김동현 ,  이호준

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .10

SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향

趙星昱 ,  李京雨 ,  曹映煥 외 1명

한국표면공학회지

1990 .09

Remote PECVD와 Direct PECVD에 의해 증착된 실리콘 산화막의 특성 평가 ( Evaluation of Silicon Oxide Films Deposited by Remote PECVD and Direct PECVD )

정윤권 ,  정문식 ,  강봉구

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

PECVD a - SiNx : H 薄膜의 特性과 熱的安定性

송진수 ,  박주석

한국태양에너지학회 논문집

1986 .05