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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 1,017 - 1,020 (4page)
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The cone SONOS memory device is a vertical device and has a merit of electric field concentration at the channel region near the drain. The key point of the device is excellent program/erase characteristic induced by electric field concentration in the channel region near the drain and electric field reduction in the blocking oxide. There are three important unit processes, patterning cone shape, overlapped gate formation, and drain contact. In this paper, we focus on the fabrication process of the structure.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Unit Processes
3. Fabrication Flow
4. Summary
Acknowledgments
References
참고문헌 (0)
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