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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.5
- 수록면
- 180 - 183 (4page)
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본 논문에서는 65-㎚급 SoC에서 사용가능한 oxide-tunneling leakage를 감소시킬 수 있는 SRAM을 제안한다. 본 논문에서 제안된 SRAM은 word-line-off 전압을 접지전압 보다 높게 함으로써 word-line transistor의 oxide 전압을 줄여서 gate-oxide-tunneling 누설전류를 감소시키고 따라서 전제 누설전류를 줄일 수 있게 된다. 본 논문에서 제안된 SRAM은 55-㎚ Predictive Technology Model (PTM)을 이용하여 검증되었다. 검증 결과, sleep 상태에서의 SRAM cell의 누설전류는 -25℃, 25℃, 75℃에서 각각 33.2%, 18.9%, 9.2% 감소함을 알 수 있었다. 또한 active 상태에서의 전류소비를 분석하기 위하여 read와 write 동작을 시뮬레이션 한 결과, 전체 전류 소비는 -25℃, 25℃, 75℃에서 각각 23.6%, 21%, 18.8% 만큼 감소함을 알 수 있었다. 본 논문에서 제안된 SRAM은 oxide-tunneling leakage가 전체 누설전류에서 많은 비중을 차지하는 65-㎚ 이하 급 SoC에서 특히 유용할 것으로 생각된다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
Acknowledgements
참고문헌
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