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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1992.2
- 수록면
- 153 - 161 (9page)
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C_(54)Ti-silicide(TiSi₂)의 증착 온도를 낮추고 챔버내에서 표면처리를 가능하게 하기 위하여 플라즈마를 고진공장치에 부착시켰다. SiH₄와 TiCl₄를 이용하여 증착시킨 Ti-silicide는 14~25 uohm-㎝의 낮은 저항을 가지고 있었다. 실험변수가 silicide의 성장속도와 이 때 발생하는 기판 실리콘의 소모(Silicon Consumption)에 미치는 영향에 대한 연구는 SiH₄가 실리사이드 형성에 참여하는 주요한 성분이며, 기판 실리콘은 silicide 형성에 참여하지 않고 소모됨을 보여주고 있었다. 또한 실리콘 소모에 주요한 영향을 미치는 인자는 가스조성과 증착온도였다. SiH₄를 6 sccm에서 9 sccm으로 증가시켰을 경우는 실리콘 소모가 1500 Å/min에서 30 Å/min 이하로 감소하였고, 온도를 650℃에서 590℃로 낮추었을 경우에는 실리콘 소모가 일어나지 않고 균일한 두께의 TiSi₂가 형성되었다. 마지막으로 기판 실리콘 소모에 SiH₄가 미치는 영향을 이해하기 위하여 실리콘 소모에 대한 반응 모델을 고려하였다.
목차
Abstract
요약
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Summary
References
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