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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제4호
발행연도
1994.12
수록면
426 - 433 (8page)

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원거리 플라즈마 화학증착 반응기에서 SiH₄-N₂O로 부터 산화막을 증착하고 막의 화학적 조성, 구조, 전기적인 특성 등을 평가하였다. 증착온도는 실온에서 350℃ 사이의 저온이였다. 증착온도, 플라즈마 전력, 반응기체의 조성 등이 막의 물성에 영향을 주는 것으로 나타났으며 나아가서는 산화막과 규소-산화막 계면의 전기적인 특성에도 영향을 주었다. 높은 전력 및 SiH₄-N₂O 비에서 막의 물성이 나빠지는 것으로 나타났으며 이 경우 막의 불순물 함량이 높고 또한 기상에서 입자가 형성되는 것이 관찰되었다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Experiment

3. Results and Discussion

4. Conclusions

Acknowledgment

References

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