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정전류 Stress 하에서의 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin Si02 under Constant Stress Condition )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
얇은 산화막의 광 조사후 TDDB특성에 관한 연구 ( The reserch on the TDDB of thin film after the irradiation )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
N / O ( Si3N4 / SiO2 ) 유전막의 Tddb 특성에 미치는 상부산화조건의 영향 ( Effects of Top OxIdation Condition on Tddb Characteristics of N / O ( Si3N4 / SiO2 ) Dielectric Films )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
N/O(Si₃N₄/SiO₂) 유전막의 TDDB 특성에 미치는 상부산화조건의 영향
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
얇은 절연막의 TDDB 분석과 전기적 특성
산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소
1988 .01
N2O 질화산화막의 성장 방법 및 면적에 따른 TDDB 특성
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
The Impact of TDDB Failure on Nanoscale CMOS Digital Circuits
한국산업정보학회논문지
2012 .09
HK/MGFET’s 의 Accumulation TDDB Modeling
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2016 .05
N2O 질화산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 TDDB 특성 ( TDDB Properties of MOS Capacitors with N2O Oxynitride Layer )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
Reliability Analysis Framework for Time Dependent Dielectric Breakdown
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .02
온도 의존성을 반영한 개선된 TDDB 수명 예측 모델 개발
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
The Effects of NO-nitridation of Gate Oxide on Qbd and TDDB under Dynamic Stress
전기학회논문지
1998 .01
얇은 산화막의 TDDB특성과 막내의 결함과의 상관성
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .11
Analysis of Time Dependent Dielectric Breakdown in Nanoscale CMOS Circuits
대한전자공학회 ISOCC
2011 .11
N2O 질화산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 TDDB 특성
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
전압원 인버터 Leg에 대한 출력 전압 극성 검출식 베이스/게이트 구동 억제 방법
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .11
Analysis of Gate-Oxide Breakdown in CMOS Combinational Logics
센서학회지
2019 .01
잔류자기 유도 기전력을 이용한 3상유도전동기 권선의 극성 판별법에 관한 연구
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)
2014 .11
나노미터 디지털회로의 노화효과를 보상하기위한 새로운 적응형 회로 설계
한국산업정보학회논문지
2013 .12
Si$O_{2}/{Si}_{0.7}{Ge}_{0.3}/SiO_{2}$계에서의 계면응집현상에 의한 양자점 형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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