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N/O(Si₃N₄/SiO₂) 유전막의 TDDB 특성에 미치는 상부산화조건의 영향
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
정전류 Stress 하에서의 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin Si02 under Constant Stress Condition )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
스트레스전압 극성에 따른 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin SiO2 with Stress Voltage Polarity )
전자공학회논문지
1989 .05
얇은 산화막의 광 조사후 TDDB특성에 관한 연구 ( The reserch on the TDDB of thin film after the irradiation )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
얇은 산화막의 TDDB특성과 막내의 결함과의 상관성
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .11
상부산화 조건에 따른 N/O ( SiO2/Si3N4 ) 구조막의 신뢰성 평가 ( Reliability of N/O ( SiO2/Si3N4 ) Films According to Top Oxidation Condition )
전자공학회논문지-A
1992 .09
다결정 Si/SiO₂ ∥ Si 적층구조에서 SiO₂층의 두께에 따른 유전특성의 변화
한국표면공학회지
2000 .08
The Impact of TDDB Failure on Nanoscale CMOS Digital Circuits
한국산업정보학회논문지
2012 .09
SiO₂/Si₃N₄ 2중층 박막의 유전특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .07
얇은 절연막의 TDDB 분석과 전기적 특성
산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소
1988 .01
N2O 질화산화막의 성장 방법 및 면적에 따른 TDDB 특성
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
HK/MGFET’s 의 Accumulation TDDB Modeling
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2016 .05
N2O 질화산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 TDDB 특성 ( TDDB Properties of MOS Capacitors with N2O Oxynitride Layer )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
Si-SiO₂系의 問題点과 研究動向
전기의세계
1985 .06
Reliability Analysis Framework for Time Dependent Dielectric Breakdown
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .02
Analysis of Time Dependent Dielectric Breakdown in Nanoscale CMOS Circuits
대한전자공학회 ISOCC
2011 .11
온도 의존성을 반영한 개선된 TDDB 수명 예측 모델 개발
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
The Effects of NO-nitridation of Gate Oxide on Qbd and TDDB under Dynamic Stress
전기학회논문지
1998 .01
Capacitance-Voltage Characteristics in the Double Layers of SiO₂/Si₃N₄
전기학회논문지 C
2003 .10
SIMS를 이용한 SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si 및 SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si 적층 박막내의 Na 게터링 분석
한국표면공학회지
2018 .04
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